30V降压DCDC电源转换芯片，低待机功耗。提供一个芯片外部使能控制引脚(EN) 以使能或禁止芯片工作。当EN 引脚电压高于EN 上升阈值电压(VEN(R)) 且 VIN 电压高于VIN 欠压锁定阈值(VUVLO(R)) 时，芯片使能开始正常工作。如果EN 引脚电压被拉低到阈值电压(VEN(F)) 以下，则芯片停止开关动作并进入关机模式，即使VIN 电压高于VIN 欠压锁定阈值(VUVLO(R))，芯片也被禁用，开关动作停止。在关机模式下，芯片的输入电流降低到比较低的关断电流(典型值为2.5μA)。芯片采用管脚复用技术，内部差分采样电路采样 VDD 管脚与CS 管脚之间的压差作为内部过流比较 器的输入。吉林大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片代理

持续的研发是保持产品竞争力的关键，而模拟芯片的研发与设计需要电子、材料、半导体等跨学科知识的积累和跨行业技术的整合，且对研发人员的专业水平和工作经验要求较高。必易微的**研发团队均具备国内外名校的学历背景，并曾在国内外**科技企业担任高层研发和管理职务，拥有丰富的行业经验，对模拟集成电路设计有着深刻的理解。必易微在市场开拓的进程中专注客户服务，对客户的需求能够快速响应，以解决客户痛点、**市场潮流为市场价值导向，取得了行业头部客户的认可和采用，推动了公司产品打破国外厂商对市场的垄断地位，为公司新产品、新业务的发展提供了***辽阔的市场空间。AC高压降15V供电非隔离BUCK电源芯片技术支持芯片供电管脚，用于能量存储，串接一电容到地后将输入能 量传递至LDO 输出级。

WIFI供电**芯片，精度高，动态优，功耗低，**精简。KP35026是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于3.3V供电的应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时IC内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP35026内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。芯片采用了多模式PWM控制技术和动态响应优化电路，有效提升了动态响应能力，优化了线性调整率和负载调整率，同时明显降低了系统工作中的可闻噪音。

主要特点•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•优化轻载噪音、提升系统抗干扰能力•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•默认12V输出(FB脚悬空)•待机功耗<50mW•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•VDD过压、欠压和电压箝位保护•封装类型SOP-8，可以满足客户不同电压需求：220V交流转12V，220V交流转5V，220V交流转15V，220V交流转24V。这款芯片是一种简单易用、高效集成的同步降压转换器。

在轻载工作条件下自动进入脉冲频率调制模式(PFM)，以保持轻载高效率。当负载电流逐渐减小时，电感电流纹波的波谷逐渐下降，直至电感电流波谷为0A，此时即为电感电流连续导通模式和不连续导通模式的临界——电感电流临界导通模式。继续降低负载电流，当检测到电感电流过零时，将会关闭低侧MOSFET (LSF)，从而电感电流保持为零。在这种情况下，输出电容只被负载电流放电，输出电压下降速度变慢，从而开关频率将会降低。由于开关频率的降低，轻载时的开关损耗也将降低，从而提高了系统的轻载效率。多模式控制、无异音工作，支持降压和升降压拓扑。中国台湾低功耗30V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片现货

集成有完备的带自恢复功能的保护功能： VDD 欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、 过热保护。吉林大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片代理

40V低功耗降压DCDC电源芯片，40V,1A易用高性能同步降压转换器KP52140X(A)是一款简单易用的同步降压直流/直流转换器，能够驱动高达1A的负载电流。它具有6V至40V的宽输入范围，因此适用于工业领域中非稳压电源的电源调节。KP52140X(A)内部集成低导通电阻的P型高侧MOSFET和N型低侧MOSFET，省掉了外部自举电容和肖特基二极管。在内部实现了软启动和补偿电路减少了**元器件的数量，固定5V或3.3V的输出方式可进一步减少**元器件数量，从而轻松实现单层PCB布局。KP52140X(A)典型开关频率为100kHz，采用低开关速率设计适用于有EMI要求的应用场合。KP52140X(A)内置有完善的保护功能：输入过压保护(VINOVP)、输入欠压锁定(UVLO)、逐周期电流限制(OCL)、输出过压保护(VOUTOVP)、输出欠压保护(VOUTUVP)，和过温保护(OTP)，以确保其在不同的工作条件下保持安全、可靠运行。KP52140X(A)采用TSOT23-5和TSOT23-6封装，可节约布局空间。吉林大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片代理

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